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              薄膜半导体材料制备系统

              • 磁控溅射仪
              磁控溅射仪

              磁控溅射仪


              磁控溅射仪

              衬底尺寸:4'为主,6'兼容。

              溅射金属膜厚均匀性要求:≤±5%

              靶位:4个。

              极限压力:<6.6×10-6e Pa

              靶材尺寸:3英寸。

              可溅射磁性材料。

              靶与样品距离可调,且可以在30度角度内摆头。

              配置load-lock,可放置56英寸样品,在高真空状态下,由电动马达分别传送每片样品,顺序溅射每片样品,逐一完成5片溅射镀膜。

              样品台可加热至750度,可旋转。

              全自动真空度控制模块。

              气路:ArO2N2

              射频电源:2个,每个600W

              直流电源:2个,每个1000W


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